● 资讯

欢迎访问##云南维西JN-SVG75-400/4L-H静止无功发生器##股份集团

发布:2024/5/8 14:35:09 来源:yndl1381

湖南盈能电力科技有限公司是一家专注于智能化、高科技产品研发、、销及服务为一体的科技型企业。 专业从事生产销高低压电器为主,产品在电力电网、工业控制、机械设备和公共设施中都被广泛的采用。

欢迎访问##云南维西JN-SVG75-400/4L-H静止无功发生器##股份集团

公司核心产品有成套配电柜,高压断路器、关、电力变压器,微机保护装置,火灾监控,小型断路器、塑壳式断路器、智能型剩余漏电断路器,式框架断路器、浪涌保护器、控制与保护关 、双电源自动切换关、启式关,控制变压器、交流接触器、热过载继电器,电力仪表,关电源等系列。yndl1381

         公司秉承着“专业、诚信、值得信赖”的经营理念。以合理的价格,完善的服务,的产品。以客户需要为导向,以提高客户生产效率及质量为目标,不断引进选进技术同产品,为客户带来更为的现场解决方案。 我们的专业和不断地,我们的诚信和 服务,得到了各行业客户的一致肯定好评,为企业赢得了 卓越商誉。 “客户信赖,的品牌商”是我们企业追求的目标。我们也时刻以此来严格要求自已,期待在 关键时候为您为的现场解决方案以及完善的产品和服务。盈能电力科技公司致力打造 电气销服务品牌,愿与各界同仁志士竭诚合作,共同发展,共创美好未来!


欢迎访问##云南维西JN-SVG75-400/4L-H静止无功发生器##股份集团

好比一块纯金的手机电池,谁用得起啊。业内人有个比方,“谁都知道钻石硬度好,可没人用来菜。”其次,技术难度大。清华能源互联网研究员刘冠伟则表示,石墨本身纳米材料的高比表面积等性质与现在的锂离子电池工业的技术体系是不兼容的,完全替代的希望十分渺茫。正在大家对石墨电池失望之际,科学界传来了新成果。近期,美国华人科学家研制出一种多孔石墨复合电极技术,朝着研制充电速度快且续航能力强的电池又迈进了一步。检查充电机两路充电接口应能同时输出,且充电机功率分配级差应不大于2kW,检查并记录充电机功率分配切换时间。在这项测试中选用IT89直流电子负载,可获得高达1mV和1mA的电压电流分辨率,CV+CC模式有效电流突波,具有超高的回路响应及5kHZ测量速度,并内置LAN/USB/RS232/GPIB等通讯接口,配合系统完成测试。在应用实践中,艾德克斯IT89高性能大功率可编程直流电子负载以其超高性能、便于维护等优点获得了客户们的广泛认可。

磁翻板液位计作为一种观测直观、简单、维护方便的液位测量仪表,在罐区的测量中得到大量的应用。因为磁翻板液位计可以不通过使用其他手段就能直接地反映槽罐内液位实际状态,这种简单明了,稳定直观的测量优点已经被越来越多的用户认可。在仪表的实际过程中,生产厂家还可以通过增加一些附加技术手段使液位计拓展更多的功能,使其能够运用到实际的生产控制中去。2m以上的大量程磁翻板液位计的测量准确度通常与差压变送器不相上下,因此也越来越受到用户的重视。当然这两大项中又包括许多小项目,EMI主要测试项:RE(产品辐射,发射)、CE(产品传导干扰)、Harmonic(谐波)、Ficker(闪烁)。EMS主要测试项:ESD(产品静电)、EFT(瞬态脉冲干扰)、DIP(电压跌落)、CS(传导抗干扰)、RS(辐射抗干扰)、Surge(雷击)、PMS(磁场抗扰)。通过这些测试项目我们不难看出EMC测试主要围绕产品的电磁干扰和敏感度两部分,如果一旦产品不符合安全认证标准需要EMC整改的时候我们可以通过降低其材料和零部件进行整改。模块电源广泛用于设备、接入设备、通讯、微波通讯以及光传输、路由器等通信领域和汽车电子、航天以及生活的各方各面。为了保证模块电源的安全可靠性能,电源模块离不完整的测试。AC-DDC-DC电源模块的完整测试往往包括机时间、关机时间、上升时间、下降时间的测试。测试系统,如艾德克斯ITS95电源测试系统可以完整的进行测试。如果不使用测试系统,如何使用直流电源+直流电子负载的方式简单测试DC-DC电源模块的、关机时间和上升、下降时间呢?艾德克斯IT8515/IT853系列电子负载,创新的时间量测功能,可以方便快捷地实现电源机时间与上升时间的测试,在电源行业有非常广泛的应用。LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想法降低v和f.如果v和f不能改变,那么请想法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。

网友评论:(注:网友评论仅供其表达个人看法,并不表明盛丰建材网。)

查看更多评论

最新内容