LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。模拟设计中的热噪声几乎总属于寄生特性，需要不惜一切代价加以避免。输入滤波、PCB板面布局和接地连接都是良好模拟系统中 重要的因素，但用户总能在模拟系统中找到一定量的Johnson-Nyquist热噪声和闪烁噪声。另一种噪声源，即量化噪声比热噪声和其他噪声源更重要。当信号从模拟转为数字时会产生量化噪声。显示了4位模数转换器(ADC)数字化正弦波这一极端实例中获得的量化噪声当您用尺子测量物体时，需要实际读取尺子的刻度来测量物体的大小，对吧?但如果物体的尺寸介于两个刻度之间会怎么样呢?如果必须在量尺刻度的两个点之间进行选择，那么您会选择 接近物体实际尺寸的刻度。我们能看到解码细节了。解码会以全内存的数据为依据进行ZDS示波器的一大特点就是深存储，而固定的解码范围会制约这一特点的应用，导致深存储时大部分的数据都不能用于解码。在新特性中，这情况将改变，我们可以把存储深度设置成很大，系统会根据协议波特率等特点动态的调整解码范围，的情况我们会将解码范围拓展到整个内存，并且这种特性是在Run和Stop模式中都可以使用，不再局限于Stop!全内存解码我们将存储深度设置为28M，此时整个内存中数据的时间跨度为-14ms~14ms。

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4151调制域分析仪精密时间间隔测量广泛应用于卫星、雷达、激光测距、粒子物理实验、计量及测试等领域，随着人们对测距精度、粒子质量鉴别精度和时间计量精度的要求不断提升，皮秒级时间分辨率的测试应用越来越多。目前国外成熟产品的时间测量分辨率为2ps，标准方差为36ps左右，国内中电科仪器仪表公司推出的4151调制域分析仪时间测量分辨率可达5ps，标准方差为86ps左右，综合性能到达了 水平，能够满足目前绝大数情况对精密时间的测试需求。