● 资讯

2024欢迎访问##吉林珲春KY-B/10-F10KV过电压保护器##股份集团-盛丰建材网

发布:2024/5/3 8:35:26 来源:yndl1381

平时我们都关注示波器的三大核心指标:带宽、采样率、存储深度,但是除了三大技术指标,还有底噪、非线性度、偏置误差等,上述指标决定了能否实现更的测量,那究竟这些指标的高低由谁来决定呢?当选用示波器进行测量时,除了关注核心指标,示波器测试系统的质量也是极为重要的,底噪、非线性度、偏置误差等决定了是否可以进行更好的测量,而这些指标主要由示波器的ADC性能决定,这就要引入一个概念:等效位数(ENOB,effectivenumberofbits)。ENOB是什么ENOB(等效位数)是一个极为综合的指标,在一定程度上涵盖了数字示波器的多种误差,偏置误差、增益误差、非线性度、噪声等等。在介绍ENOB之前,先介绍下SINAD,即为信号-噪声及失真比,SINAD=S/(N+D),其中S是信号功率、N是噪声功率、D是失真功率,也就是说,SINAD与信号功率呈正比,与噪声及失真功率呈反比,所以提高SINAD的方法有:降低噪声、提高信号的纯度(减小信号的畸变)。在进行小批量设备或工业自动化测试时(,产品在出厂前需要某些性能检测),往往意味着对大量重复性指标的测试。市面上大多数台式数字示波器都拥有的Pass/Fail功能可以很轻易地完成这项工作,它可以自动捕捉到不符合设定要求的异常信号,把工程师从观察大量信号的过程中解放出来,令工程师更地完成测试工作。那么怎么用示波器来实现Pass/Fail测试呢?下面我们将给出详细的测试步骤以供参考。本例采用鼎阳科技SDG2000X信号发生器和SDS1000X-E/SDS2000X数字示波器来模拟Pass/Fail功能的实际运用。半导体材料研究和器件测试通常要测量样本的电阻率和霍尔电压。半导体材料的电阻率主要取决于体掺杂,在器件中,电阻率会影响电容、串联电阻和阈值电压。霍尔电压测量用来推导半导体类型(n还是p)、自由载流子密度和迁移率。为确定半导体范德堡法电阻率和霍尔电压,进行电气测量时需要一个电流源和一个电压表。为自动进行测量,一般会使用一个可编程关,把电流源和电压表切换到样本的所有侧。A-SCS参数分析仪拥有4个源测量单元(SMUs)和4个前置放大器(用于高电阻测量),可以自动进行这些测量,而不需可编程关。

2024欢迎访问##吉林珲春KY-B/10-F10KV过电压保护器##股份集团-盛丰建材网

2024欢迎访问##吉林珲春KY-B/10-F10KV过电压保护器##股份集团-盛丰建材网

湖南盈能电力科技有限公司建有科技大楼、研发中心、自动化公区及标准生产车间,生产线配备了 的试验设备,制定了系统发软件、通讯协议安全可靠,性能测试稳定,并与国内大学单片机中心组成为产学研联合体。盈能电力主要分为四大生产事业部运营:电气自动化事业部、高压电器事业部、智能仪表事业部、低压电器事业部。公司现拥有多名 工程师,几 技术人才,近百名生产员工。 yndl1381

它的量程为8米,几乎和一个足球场的长度相当。通常使用卷尺测量如此长的距离往往需要多次测量接力,而使用VH-8仅需一秒就能搞定。使用VH-8进行家庭测量也非常方便,通常使用卷尺量一个摆满家具的房间大约需要15个步骤, 少需要15分钟。而使用VH-8仅需要3个步骤3分钟就能搞定,可以节约时间。从下图可以看出,使用普通卷尺需要两个人才能测量的工作,使用VH-8一只手就能搞定。可以在两点之间的任意位置测量,无需蹲在地板上或爬上梯子进行测量,安全。再简单一点,就是考虑更好的散热吧。功率管发热功率管的功耗分成两部分,关损耗和导通损耗。要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,关损害要远大于导通损耗。关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决:不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右,2N60的cgs为350pF左右,5N60的cgs为1200pF左右,差别太大了,选择功率管时,够用就可以了。

摩尔定律美国人高登摩尔提出摩尔定律,即微器的速度每18个月翻一翻。这意味着同等价位的微器速度会变得越来越快,同等速度的微器会变得越来越便宜。作为迄今为止半导体发展史上意义 深远的摩尔定律,集成电路数十年的发展历程,令人信服地证实了它的正确性。它并不是严格的物理定律,而是基于一种几乎不可思议的技术进步现象所出的总结。在过去10年中,摩尔定律所描述的技术进步不断冲击着计算机工业:晶体管越越小,芯片性能越来越高,计算能力呈指数增长,生产成本和使用费用不断降低。

<

网友评论:(注:网友评论仅供其表达个人看法,并不表明盛丰建材网。)

查看更多评论

最新内容

推荐文章